蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。在化学蚀刻中是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，化学蚀刻机是将材料用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。

光刻机(mask aligner) 又名:掩模对准---机，---系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 mask alignment system.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准---、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时到硅片上的过程。

光栅刻画:光学中光栅通常的作用是色散。光栅刻划是制作光栅的方法之一。

在次蚀刻机行业组成的生产效率低、 缺乏资金，慢慢导致业务发展停滞不前。但人很坚强，不远。试着去学习生产技术和---的生产技术，设备升级的外国精英厂家则是一步一步走，把开发新技术产品。蚀刻机在几十年，许多制造商下滑的时期。跟着时代的潮流走在前面，努力实现可持续的、 长期的、 稳定的发展模式。

当今社会，竞争激烈，人才，山比山情况使人们意识到的生存压力。也是真正之间所有各界以及蚀刻机行业，竞争是的词，也是业界的---话题。生存是需要发展，---的新产品，以保持在位置来赢得市场的关键。

蚀刻机产业发展的仍然必须取决于支持大型制造商，带领，相信蚀刻机前途是光明的。---的时候，这是一种的---。独立研究与开发的新产品、 ---和的生产工艺是的。符合现代社会的发展，要求生产厂家跟上步伐，提高生产率的他们的技术需求。结合国外---的生产技术经验，找到合适的机会。

（1）fecl3浓度值对蚀刻速率的危害：fecl3蚀刻液中随fecl3浓度值的提高，蚀刻速率加速。当所含fecl3超出某一浓度值时，因为蚀刻机水溶液粘度提升，浸蚀速率反倒有一定的降低。五金蚀刻设备厂家针对选用抗蚀印料或抗蚀湿膜的铜零件，浓度值可调节在35°波美度上下；选用液态光致蚀剂（如骨胶，乳液等）的铜零件。浓度值---在42°波美度上下。一般状况下，蚀刻机箱内药液浓度值在350g/l-600g/l为宜。

（2）---的加上量对蚀刻机的浸蚀速率危害：在腐蚀机中添加---，一则可以抑止fecl3和cucl2的水解反应；二则可提升蚀刻速率。尤其是当蚀刻液中铜成分大路37.4g/l后，---的作用更为---。但这应依据不一样的抗蚀层原材料挑选适宜的酸度，假如抗蚀层挑选骨胶，果胶，乳液等光致抗蚀层，则不能用太高的酸度，不然，抗蚀层便于被毁坏。针对光感应环氧树脂抗蚀剂及油墨印刷抗蚀层，则可以挑选较高的酸度。

（3）温度对蚀刻速率的危害：在fecl3蚀刻加工工艺中，随温度的上升，蚀刻机中产品工件的浸蚀速率---加速。例如在50℃时，全新升级蚀刻液对铜的蚀刻速率可做到10μm/min。但在现实制造中，全是选用常温下蚀刻方式。fecl3对铜的蚀刻是一个化学反应，伴随着蚀刻的开展，蚀刻机中药材水温度会慢慢上升，蚀刻速率加速。伴随着fecl3的耗费，蚀刻速率也会降低。与此同时这一提温全过程也较为迟缓，因此在全部蚀刻全过程中蚀刻速率转变并不大。

碱性蚀刻液一般适用于多层印制板的外层电路图形制作，这种蚀刻方法在线路板制作中应用非常广泛，---是图形电镀，这是较好的蚀刻方法之一。同时碱性蚀刻速度快，侧蚀刻小，溶铜量大，蚀刻液可以再生连续使用。

碱性cucl2蚀刻液主要是由cucl2和nh3-h2o组成，在cucl2溶液中加入nh3-h2o会发生如下络合反应：cucl2+4nh3-h2o＝[cu(nh3)4]cl2+4h2o，在蚀刻机药箱内，铜被[cu(nh3)4]2+络离子氧化成cu+。其氧化反应如下：[cu(nh3)4]cl2+cu＝2[cu(nh3)2]cl。生成的[cu(nh3)2]+为cu+的络离子，不具有氧化能力，在有过量nh3-h2o和cl-存在的前提下，能很快被空气中的氧气所氧化，生产具有蚀刻能力的[cu(nh3)4]2+。其络离子再生反应如下：

2[cu(nh3)2]cl+2nh4cl+2nh3-h2o+1/2o2＝2[cu(nh3)4]cl2+2h2o。

从上面的化学方程式可以看出，在蚀刻机工作过程中，每腐蚀1mol铜需要消耗2mol nh3-h2o和2mol nh4cl。因此在腐蚀机蚀刻过程中，随着铜的溶解，应不断补充nh3-h2o和nh4cl。